ios中输入偏置电流的示例分析

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输入偏置电流Ib(Input Bias Current)

输入偏置电流定义为:当运放的输出直流电压为零时,两输入端的偏置电流平均值。

输入偏置电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地方有较大的影响。输入偏置电流与制造工艺有一定关系,其中双极型管的输入偏置电流在±10nA~1μA之间;采用场效应管做输入级的,输入偏置电流一般低于1nA。

对于双极性运放,该值离散性很大,但几乎不受温度影响;

而对于MOS型运放,该值是栅极漏电流,值很小,但受温度影响较大。

ios中输入偏置电流的示例分析

输入偏置电流Ib是由于运放两个输入级都有漏电流的存在(如上图所示)

并且:

  • 输入偏置电流就定义这两个电流的平均值

  • 输入失调电流就定义为两个电流的差

输入偏置电流的来源:

三极管:三极管线性工作时的基极电流

FET:输入引脚ESD保护二极管的漏电流(FET的栅极电流很小)

输入失调电流Ios(Input Offset Current)

输入失调电流定义为:当运放的输出直流电压为零时,其两输入端偏置电流的差值。

输入失调电流同样反映了运放内部的电路对称性,对称性越好,输入失调电流越小。

输入失调电流是运放的一个十分重要的指标,特别是精密运放或是用于直流放大时。

输入失调电流大约是输入偏置电流的百分之一到十分之一。

输入失调电流对于小信号精密放大或是直流放大有重要影响,特别是运放外部采用较大的电阻(例如10k或更大时),输入失调电流对精度的影响可能超过输入失调电压对精度的影响。输入失调电流越小,直流放大时中间零点偏移越小,越容易处理。所以对于精密运放是一个极为重要的指标。

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